H11N1W

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: 6-DIP
数量：: 981
说明：: 高速光耦合器

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H11N1W PDF参数资料

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中文参数如下：

上升时间：7.5 ns
输出设备：Photo IC
每芯片的通道数量：1 Channel
最大正向二极管电流：30 mA
最大连续输出电流：50 mA
绝缘电压：5300 Vrms
下降时间：12 ns
封装形式：PDIP-6
最小工作温度：- 40 C
最大工作温度：+ 85 C
最大功率耗散：250 mW
最大反向二极管电压：6 V
最大正向二极管电压：2 V
最大波特率：5 MBps
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

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