H11D2_Q

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: PDIP-6
数量：: 8019
说明：: 晶体管输出光电耦合器 DIP-6 HV PHOTO TRAN

一、本商品被浏览0次.

H11D2_Q PDF参数资料

中文参数如下：

输出类型：DC
输出设备：NPN Phototransistor
每芯片的通道数量：1 Channel
最大反向二极管电压：6 V
最大输入二极管电流：80 mA
包装形式：Bulk
封装形式：PDIP-6
最小工作温度：- 55 C
最大工作温度：+ 100 C
最大功率耗散：300 mW
最大集电极电流：100 mA
最大正向二极管电压：1.5 V
绝缘电压：5300 Vrms
最大集电极/发射极饱和电压：0.4 V
最大集电极/发射极电压：300 V
输入类型：DC
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是H11D2_Q的详细信息，包括H11D2_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他光耦合器/光电耦合器产品：

光隔离放大器高线性光耦合器三极与 SCR 输出光电耦合器光电二极管输出光电耦合器高速光耦合器