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中文参数如下:
输出设备:NPN Phototransistor
每芯片的通道数量:1 Channel
正向电流:10 mA
包装形式:Tube
封装形式:DIP-6
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 110 C
最大功率耗散:200 mW
电流传递比:30 %
绝缘电压:5000 Vrms
最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V
最大集电极/发射极电压:80 V
输入类型:DC
RoHS:是
产品种类:晶体管输出光电耦合器
制造商:Everlight
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