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GT30J65MRB,S1E

厂家：
  Toshiba Semiconductor and Storage
封装：
 TO-3P（N）
数量：
 1036  
说明：
 650V SILICON N-CHANNEL IGBT, TO-
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GT30J65MRB,S1E-TO-3P（N）图片

GT30J65MRB,S1E PDF参数资料

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中文参数如下：
封装封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
安装类型：通孔
工作温度：175°C（TJ）
反向恢复时间 (trr)：200 ns
测试条件：400V，15A，56 欧姆，15V
25°C 时 Td（开/关）值：75ns/400ns
栅极电荷：70 nC
输入类型：标准
开关能量：1.4mJ（开），220μJ（关）
功率 - 最大值：200 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：1.8V @ 15V，30A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：-
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
IGBT 类型：-
产品状态：在售
包装：-
系列：管件
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

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