GT15J341,S4X

厂家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封装：: TO-220SIS
数量：: 900
说明：: PB-F DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO

一、本商品被浏览0次.

GT15J341,S4X PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
封装封装/外壳：TO-220-3 整包
安装类型：通孔
工作温度：150°C（TJ）
反向恢复时间 (trr)：80 ns
测试条件：300V，15A，33 欧姆，15V
25°C 时 Td（开/关）值：60ns/170ns
栅极电荷：-
输入类型：标准
开关能量：300μJ（开），300μJ（关）
功率 - 最大值：30 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，15A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：60 A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：15 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V
IGBT 类型：-
产品状态：在售
包装：-
系列：管件
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是GT15J341,S4X的详细信息，包括GT15J341,S4X厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET 开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

IGBT 晶体管最新产品：