GE04MPS06E

厂家：: GeneSiC Semiconductor
封装：: TO-252-2
数量：: 10739
说明：: DIODE SIL CARB 650V 11A TO252-2

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中文参数如下：
封装工作温度 - 结封装：TO-252-2
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
安装类型：表面贴装型
不同?Vr、F 时电容：186pF @ 1V，1MHz
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 μA @ 650 V
反向恢复时间 (trr)：0 ns
速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.35 V @ 4 A
电流 - 平均整流 (Io)：11A
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V
技术：SiC（Silicon Carbide）Schottky
产品状态：在售
包装：SiC Schottky MPS?
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：GeneSiC Semiconductor

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