GD30MPS06J

厂家:
  GeneSiC Semiconductor
封装:
 TO-263-7
数量:
 5428  
说明:
 DIODE SIL CARB 650V 51A TO263-7
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GD30MPS06J PDF参数资料

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中文参数如下:
封装工作温度 - 结封装:TO-263-7
封装/外壳:TO-263-8,D2Pak(7 引线+接片),TO-263CA
安装类型:表面贴装型
不同?Vr、F 时电容:735pF @ 1V,1MHz
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
反向恢复时间 (trr):-
速度:无恢复时间 > 500mA(Io)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):-
电流 - 平均整流 (Io):51A
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):650 V
技术:SiC(Silicon Carbide)Schottky
产品状态:在售
包装:SiC Schottky MPS?
系列:管件
品牌:GeneSiC Semiconductor

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