GB05MPS33-263

厂家：: GeneSiC Semiconductor
封装：: TO-263-7
数量：: 5265
说明：: DIODE SIL CARB 3.3KV 14A TO263-7

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中文参数如下：
封装工作温度 - 结封装：TO-263-7
封装/外壳：TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA
安装类型：表面贴装型
不同?Vr、F 时电容：288pF @ 1V，1MHz
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：10 μA @ 3000 V
反向恢复时间 (trr)：0 ns
速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：3 V @ 5 A
电流 - 平均整流 (Io)：14A
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：3300 V
技术：SiC（Silicon Carbide）Schottky
产品状态：在售
包装：SiC Schottky MPS?
系列：管件
品牌：GeneSiC Semiconductor

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