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中文参数如下：
封装工作温度 - 结封装：TO-220FP
封装/外壳：TO-220-2 整包
安装类型：通孔
不同?Vr、F 时电容：42pF @ 1V，1MHz
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 μA @ 3300 V
反向恢复时间 (trr)：0 ns
速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 300 mA
电流 - 平均整流 (Io)：300mA
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：3300 V
技术：SiC（Silicon Carbide）Schottky
产品状态：不适用于新设计
包装：SiC Schottky MPS?
系列：管件
品牌：GeneSiC Semiconductor
以上是GAP3SLT33-220FP的详细信息，包括GAP3SLT33-220FP厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!
