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中文参数如下：
工厂包装数量：10
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 40 C
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
包装形式：Bulk
封装形式：SOT-227
最大工作温度：+ 150 C
栅极—射极漏泄电流：0.5 mA
在25 C的连续集电极电流：100 A
集电极—射极饱和电压：2 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
配置：Single
产品：IGBT Silicon Modules
RoHS：是
制造商：GeneSiC Semiconductor
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