G2SB60-E3D/P

厂家：: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封装：: 4-SIP，GBL
数量：: 5805
说明：: DIODE BRIDGE

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G2SB60-E3D/P PDF参数资料

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中文参数如下：
封装：GBL
封装/外壳：4-SIP，GBL
安装类型：通孔
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 μA @ 600 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 750 mA
电流 - 平均整流 (Io)：1.5 A
电压 - 峰值反向（最大值）：600 V
技术：标准
二极管类型：Single Phase
产品状态：停产
包装：-
系列：卷带（TR）
品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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