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FZ1800R17KF6C_B2

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 IHM190
数量：
 27  
说明：
 IGBT 模块 N-CH 1.7KV 2.9KA
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FZ1800R17KF6C_B2 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：1
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 40 C
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
封装形式：IHM190
最大工作温度：+ 125 C
功率耗散：13.9 KW
栅极—射极漏泄电流：400 nA
在25 C的连续集电极电流：2900 A
集电极—射极饱和电压：2.6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V
配置：Triple Common Emitter Common Gate
产品：IGBT Silicon Modules
制造商：Infineon

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