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中文参数如下:
最小工作温度:- 55 C
最大功率耗散:680 mW
直流电流增益 hFE 最大值:25 at 1 mA at 10 V
封装形式:TO-92
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:25 at 1 mA at 10 V, 40 at 10 mA at 10 V, 40 at 30 mA at 10 V
增益带宽产品fT:50 MHz
最大直流电集电极电流:0.5 A
发射极 - 基极电压 VEBO:6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:300 V
集电极—基极电压 VCBO:300 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:否
制造商:Diodes Inc.
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