首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > IGBT 模块 > FSB50825US

FSB50825US

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 23-PowerSMD 模块
数量：
 8388  
说明：
 马达/运动/点火控制器和驱动器 250V/8A SPM5
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
FSB50825US-23-PowerSMD 模块图片

FSB50825US PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：450
功率耗散：14 W
输出电压：150 V
输出电流：4 A
输出端数量：3
负载电压：150 V
包装形式：Reel
封装形式：SPM23-BD
安装风格：SMD/SMT
工作温度：- 40 C to + 150 C
电源电流：160 uA
工作电源电压：13.5 V to 16.5 V
类型：Smart Power Modules
产品：Fan / Motor Controllers / Drivers
RoHS：是
产品种类：马达/运动/点火控制器和驱动器
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FSB50825US的详细信息，包括FSB50825US厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

最新产品：

  • TK90S06N1L,LXHQ
  • PL133-47OC-R
  • DB0112LA2
  • E37X501CPN562MEJ1U
  • 1SX210HU3F50E2VG
  • MAX4060EUA+
  • DF02S2
  • 501ACJ-ADAG
  • ECX-L33CM-622.080
  • SW4-030090RN1HM

    • 相近型号推荐

    • FSB560图片

      FSB560

      两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation

    • 暂无电子元件图

      FSB560_Q

      两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation

    • FSB560A图片

      FSB560A

      两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation

    • 暂无电子元件图

      FSB560A_Q

      两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation

    • FSB619图片

      FSB619

      两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation

    • 暂无电子元件图

      FSB619_Q

      两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC