FR606T-G

厂家：: Comchip Technology
封装：: R-6
数量：: 117
说明：: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

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FR606T-G PDF参数资料

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中文参数如下：
封装工作温度 - 结封装：R-6
封装/外壳：R-6，轴向
安装类型：通孔
不同?Vr、F 时电容：100pF @ 4V，1MHz
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：10 μA @ 800 V
反向恢复时间 (trr)：500 ns
速度：快速恢复 = 200mA（Io）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.3 V @ 6 A
电流 - 平均整流 (Io)：6A
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：800 V
技术：标准
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）
品牌：Comchip Technology

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