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中文参数如下：
典型关闭延迟时间：7.5 ns
工厂包装数量：70
上升时间：50 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：25 ns
包装形式：Tube
封装形式：IPAK
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.451 Ohms
漏极连续电流：5.4 A
闸/源击穿电压：+/- 25 V
汲极/源极击穿电压：- 60 V
晶体管极性：P-Channel
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor
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