FQD2N80TM_WS

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
数量:
 7506  
说明:
 MOSFET 800V N-Channel QFET
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FQD2N80TM_WS PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:25 ns
工厂包装数量:2500
上升时间:30 ns
功率耗散:2.5 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:28 ns
包装形式:Reel
封装形式:DPAK
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):6.3 Ohms
漏极连续电流:1.8 A
闸/源击穿电压:+/- 30 V
汲极/源极击穿电压:800 V
晶体管极性:N-Channel
产品种类:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FQD2N80TM_WS的详细信息,包括FQD2N80TM_WS厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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