FQB8N60CFTM

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
数量:
 6588  
说明:
 MOSFET N-CH/250V/ 8A/0.55OHM
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FQB8N60CFTM PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:81 ns
工厂包装数量:800
上升时间:60.5 ns
功率耗散:147 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :8.7 S
下降时间:64.5 ns
包装形式:Reel
封装形式:D2PAK
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):1.25 Ohms
漏极连续电流:6.26 A
闸/源击穿电压:+/- 30 V
汲极/源极击穿电压:600 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FQB8N60CFTM的详细信息,包括FQB8N60CFTM厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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