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FQAF10N80

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-3P-3 整包
数量：: 4887
说明：: MOSFET 800V N-Channel QFET

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FQAF10N80 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：FQAF10N80_NL
典型关闭延迟时间：125 ns
工厂包装数量：30
上升时间：115 ns
功率耗散：113 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：8.5 S
下降时间：75 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-3PF
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.05 Ohms
漏极连续电流：6.7 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：800 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQAF10N80的详细信息，包括FQAF10N80厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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