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FQA33N10

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-3P-3，SC-65-3
数量：
 4383  
说明：
 MOSFET 100V N-Channel QFET
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FQA33N10-TO-3P-3，SC-65-3图片

FQA33N10 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：80 ns
工厂包装数量：30
上升时间：195 ns
功率耗散：163 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：23 S
下降时间：110 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-3P
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.052 Ohms
漏极连续电流：36 A
闸/源击穿电压：+/- 25 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQA33N10的详细信息，包括FQA33N10厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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