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中文参数如下:
工厂包装数量:1000
上升时间:75 ns
输出设备:Phototransistor
每芯片的通道数量:1 Channel
最小正向二极管电压:1.2 V
最大正向二极管电流:25 mA
绝缘电压:5000 Vrms
下降时间:55 ns
包装形式:Bulk
封装形式:SMD-8
最小工作温度:- 20 C
最大工作温度:+ 85 C
最大功率耗散:300 mW
最大反向二极管电压:5 V
最大正向二极管电压:1.8 V
RoHS:是
产品种类:高速光耦合器
制造商:Fairchild Semiconductor
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