中文参数如下:
上升时间:80 ns
输出设备:Photo IC
每芯片的通道数量:1 Channel
绝缘电压:5000 Vrms
下降时间:25 ns
包装形式:Bulk
封装形式:PDIP-8
最小工作温度:0 C
最大工作温度:+ 85 C
最大功率耗散:150 mW
最大反向二极管电压:5 V
最大正向二极管电压:1.7 V
最大波特率:2.5 MBps
RoHS:否
产品种类:高速光耦合器
制造商:Fairchild Semiconductor
以上是FOD2200_Q的详细信息,包括FOD2200_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!