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中文参数如下:
工厂包装数量:12
安装风格:Through Hole
最小工作温度:- 40 C
包装形式:Tube
封装形式:SPM26-AA
最大工作温度:+ 150 C
功率耗散:29 W
栅极—射极漏泄电流:1 mA
集电极—射极饱和电压:1.4 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V
配置:3-Phase
产品:IGBT Silicon Modules
RoHS:是
制造商:Fairchild Semiconductor
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