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中文参数如下：
零件号别名：FMG2G75US60_NL
工厂包装数量：15
安装风格：Screw
最小工作温度：- 40 C
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
包装形式：Bulk
封装形式：7PM-GA
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：310 W
栅极—射极漏泄电流：+/- 100 nA
在25 C的连续集电极电流：75 A
集电极—射极饱和电压：2.2 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
配置：Dual
产品：IGBT Silicon Modules
RoHS：是
产品种类：IGBT 模块
制造商：Fairchild Semiconductor
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