中文参数如下:
安装风格:Screw
最小工作温度:- 40 C
栅极/发射极最大电压:+/- 20 V
封装形式:PM-AA
最大工作温度:+ 150 C
功率耗散:56 W
栅极—射极漏泄电流:100 nA
在25 C的连续集电极电流:32 A
集电极—射极饱和电压:2.5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V
配置:Hex
产品:IGBT Silicon Modules
RoHS:否
产品种类:IGBT 模块
制造商:Fairchild Semiconductor
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