FMB200_Q

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: SSOT-6
数量：: 216
说明：: 两极晶体管 - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose

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FMB200_Q PDF参数资料

中文参数如下：

包装形式：Reel
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：0.7 W
集电极连续电流：0.5 A
封装形式：SSOT-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：80 at 100 uA at 1 V
增益带宽产品fT：300 MHz
最大直流电集电极电流：0.5 A
集电极—射极饱和电压：45 V
发射极 - 基极电压 VEBO：6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：45 V
集电极—基极电压 VCBO：60 V
晶体管极性：PNP
配置：Dual
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

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