FJV992EMTF

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: SOT-23
数量：: 72
说明：: 两极晶体管 - BJT PNP/120V/50mA

一、本商品被浏览0次.

FJV992EMTF PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

包装形式：Reel
最大功率耗散：300 mW
封装形式：SOT-23
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：400 at 1 mA at 6 V
增益带宽产品fT：50 MHz
最大直流电集电极电流：0.05 A
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：120 V
集电极—基极电压 VCBO：120 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FJV992EMTF的详细信息，包括FJV992EMTF厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管 JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

两极晶体管 - BJT 最新产品：