FJP5304D

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-220-3
数量：: 2889
说明：: 两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Tripple Diff Planar

一、本商品被浏览0次.

FJP5304D PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
供应商器件：
封装封装/外壳：TO-220-3
安装类型：通孔
工作温度：-
频率 - 跃迁：-
功率 - 最大值：70 W
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：8 @ 2A，5V
电流 - 集电极截止（最大值）：250mA
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 500mA，2.5A
电压 - 集射极击穿（最大值）：400 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：4 A
晶体管类型：NPN
产品状态：停产
包装：-
系列：散装
品牌：onsemi

以上是FJP5304D的详细信息，包括FJP5304D厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管 JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

两极晶体管 - BJT 最新产品：