中文参数如下:
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Bulk
最大工作温度:+ 150 C
功率耗散:0.3 W
峰值直流集电极电流:100 mA
集电极连续电流:- 0.1 A
集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V
直流集电极/Base Gain hfe Min:68
封装形式:TO-92-3
安装风格:Through Hole
典型电阻器比率:0.47
典型输入电阻器:22 KOhms
晶体管极性:PNP
配置:Single
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor
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