FJN13003TA_Q

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-92
数量：: 8226
说明：: 两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor

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FJN13003TA_Q PDF参数资料

中文参数如下：

包装形式：Ammo
最小工作温度：- 65 C
最大功率耗散：1.1 W
集电极连续电流：1.5 A
封装形式：TO-92
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：9 at 500 mA at 2 V
增益带宽产品fT：4 MHz
最大直流电集电极电流：1.5 A
集电极—射极饱和电压：400 V
发射极 - 基极电压 VEBO：9 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：400 V
集电极—基极电压 VCBO：700 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

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