FJB5555TM

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: D2PAK
数量：: 1704
说明：: 两极晶体管 - BJT NPN Silicon Transistor

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FJB5555TM PDF参数资料

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中文参数如下：

包装形式：Reel
最大功率耗散：1.6 W
封装形式：D2PAK
安装风格：Through Hole
直流集电极/Base Gain hfe Min：10 A
最大直流电集电极电流：5 A
发射极 - 基极电压 VEBO：14 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：400 V
晶体管极性：NPN
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

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