FFSM0665B

厂家：: onsemi
封装：: 4-PQFN（8x8）
数量：: 6786
说明：: DIODE SIL CARB 650V 9.1A 4PQFN

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中文参数如下：
封装工作温度 - 结封装：4-PQFN（8x8）
封装/外壳：4-PowerTSFN
安装类型：表面贴装型
不同?Vr、F 时电容：259pF @ 1V，100kHz
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：40 μA @ 650 V
反向恢复时间 (trr)：0 ns
速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 6 A
电流 - 平均整流 (Io)：9.1A
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V
技术：SiC（Silicon Carbide）Schottky
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：onsemi

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