FFSM0665B

厂家:
  onsemi
封装:
 4-PQFN(8x8)
数量:
 6786  
说明:
 DIODE SIL CARB 650V 9.1A 4PQFN
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FFSM0665B PDF参数资料

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中文参数如下:
封装工作温度 - 结封装:4-PQFN(8x8)
封装/外壳:4-PowerTSFN
安装类型:表面贴装型
不同?Vr、F 时电容:259pF @ 1V,100kHz
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40 μA @ 650 V
反向恢复时间 (trr):0 ns
速度:无恢复时间 > 500mA(Io)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 6 A
电流 - 平均整流 (Io):9.1A
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):650 V
技术:SiC(Silicon Carbide)Schottky
产品状态:在售
包装:-
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌:onsemi

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