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中文参数如下:
工厂包装数量:50
功率耗散:40.3 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:14 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :6.3 S
包装形式:Tube
封装形式:TO-220F
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 125 C
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.77 Ohms
漏极连续电流:8 A
闸/源击穿电压:25 V
汲极/源极击穿电压:500 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor
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