FDPF10N60NZ

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-220-3 整包
数量：: 3685
说明：: MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II

一、本商品被浏览0次.

FDPF10N60NZ PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：50
上升时间：50 ns
功率耗散：38 W
栅极电荷 Qg：23 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：14 S
下降时间：50 nS
包装形式：Tube
封装形式：TO-220F
安装风格：Through Hole
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.64 Ohms
漏极连续电流：10 A
闸/源击穿电压：25 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDPF10N60NZ的详细信息，包括FDPF10N60NZ厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他电源管理 IC产品：

软开关 PWM 控制器低压差控制器 - LDO 反馈回路功率控制器功率因数校正 IC 电压模式 PWM 控制器

开关变换器、稳压器与控制器最新产品：