FDP7N60NZ

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-220-3
数量：: 2673
说明：: MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II

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FDP7N60NZ PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：50
上升时间：30 ns
功率耗散：147 W
栅极电荷 Qg：13 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：7.3 S
下降时间：25 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.05 Ohms
漏极连续电流：6.5 A
闸/源击穿电压：30 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

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