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FDD5N50NZTM

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
数量：: 8943
说明：: MOSFET UNIFET2 500V

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FDD5N50NZTM-TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63图片

FDD5N50NZTM PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：28 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：22 ns
功率耗散：62 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：12 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：3.54 S
下降时间：21 ns
包装形式：Reel
封装形式：D-PAK-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.5 Ohms
漏极连续电流：4 A
闸/源击穿电压：+/- 25 V
汲极/源极击穿电压：500 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDD5N50NZTM的详细信息，包括FDD5N50NZTM厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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