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FDD2670

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
数量：: 5886
说明：: MOSFET N-CH 200V 18A Q-FET

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FDD2670-TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63图片

FDD2670 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：FDD2670_NL
典型关闭延迟时间：30 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：8 ns
功率耗散：3.2 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：15 S
下降时间：25 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-252AA
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.13 Ohms
漏极连续电流：3.6 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：200 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDD2670的详细信息，包括FDD2670厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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