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FDD10N20LZTM

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
数量：
 6570  
说明：
 MOSFET 200V N-Channel MOSFET, UniFET
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FDD10N20LZTM-TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63图片

FDD10N20LZTM PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：2500
功率耗散：56 W
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：8 S
包装形式：Reel
封装形式：DPAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.3 Ohms
漏极连续电流：7.6 A
汲极/源极击穿电压：200 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDD10N20LZTM的详细信息，包括FDD10N20LZTM厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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