FDA38N30

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-3P-3，SC-65-3
数量：: 13827
说明：: MOSFET UniFET1 300V N-chan MOSFET

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FDA38N30 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：30
功率耗散：312 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：60 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：6.3 S
包装形式：Tube
封装形式：TO-3
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 125 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.07 Ohms
漏极连续电流：38 A
闸/源击穿电压：30 V
汲极/源极击穿电压：300 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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