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中文参数如下：
工厂包装数量：1000
包装形式：Reel
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：1000 mW
直流电流增益 hFE 最大值：85 at 1 mA at 5 V
集电极连续电流：0.5 A
封装形式：SOT-89
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：85 at 1 mA at 5 V, 100 at 10 mA at 10 V, 55 at 100 mA at 5 V, 35 at 200 mA at 10 V
增益带宽产品fT：50 MHz
最大直流电集电极电流：0.5 A
集电极—射极饱和电压：400 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：400 V
集电极—基极电压 VCBO：400 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：过渡期间
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Diodes Inc.
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