FCP190N60

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-220-3
数量：: 1854
说明：: MOSFET 600V N-Channel MOSFET SuperFET II

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FCP190N60 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：400
功率耗散：208 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Tube
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：199 mOhms
漏极连续电流：20.2 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：650 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

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