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中文参数如下:
工厂包装数量:30
上升时间:17 ns
功率耗散:312 W
栅极电荷 Qg:86 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :39 S
下降时间:4 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-3PN
安装风格:Through Hole
电阻汲极/源极 RDS(导通):80 mOhms
漏极连续电流:34.9 A
闸/源击穿电压:30 V
汲极/源极击穿电压:600 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Fairchild Semiconductor
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