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F475R07W1H3B11ABOMA1

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 模块
数量：
 3492  
说明：
 IGBT MODULES
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F475R07W1H3B11ABOMA1-模块图片

F475R07W1H3B11ABOMA1 PDF参数资料

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中文参数如下：
封装封装封装/外壳：模块
安装类型：底座安装
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
NTC 热敏电阻：是
输入：标准
不同?Vce 时输入电容 (Cies)：4700 pF @ 25 V
电流 - 集电极截止（最大值）：50 μA
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：1.6V @ 15V，37.5A
功率 - 最大值：275 W
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：37.5 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
配置：全桥反相器
IGBT 类型：沟槽型场截止
产品状态：停产
包装：EasyPACK?
系列：托盘
品牌：Infineon Technologies

以上是F475R07W1H3B11ABOMA1的详细信息，包括F475R07W1H3B11ABOMA1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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