F4-50R07W2H3_B51

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 模块
数量:
 4275  
说明:
 IGBT MODULE VCES 650V 50A
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F4-50R07W2H3_B51 PDF参数资料

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中文参数如下:
封装封装封装/外壳:模块
安装类型:底座安装
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
NTC 热敏电阻:是
输入:标准
不同?Vce 时输入电容 (Cies):2950 pF @ 25 V
电流 - 集电极截止(最大值):1 mA
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,25A
功率 - 最大值:520 W
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):65 A
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
配置:全桥反相器
IGBT 类型:-
产品状态:在售
包装:EasyBRIDGE
系列:散装
品牌:Infineon Technologies

以上是F4-50R07W2H3_B51的详细信息,包括F4-50R07W2H3_B51厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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