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F1T4GH

厂家：: Taiwan Semiconductor Corporation
封装：: TS-1
数量：: 8289
说明：: DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1

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F1T4GH PDF参数资料

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中文参数如下：
封装工作温度 - 结封装：TS-1
封装/外壳：T-18，轴向
安装类型：通孔
不同?Vr、F 时电容：15pF @ 4V，1MHz
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 μA @ 400 V
反向恢复时间 (trr)：150 ns
速度：快速恢复 = 200mA（Io）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.3 V @ 1 A
电流 - 平均整流 (Io)：1A
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：400 V
技术：标准
产品状态：在售
包装：Automotive, AEC-Q101
系列：卷带（TR）
品牌：Taiwan Semiconductor Corporation

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