EMX1DXV6T5

厂家：: ON Semiconductor
封装：: SOT-563-6
数量：: 2169
说明：: 两极晶体管 - BJT 100mA 60V Dual NPN

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EMX1DXV6T5 PDF参数资料

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中文参数如下：

包装形式：Reel
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：357 mW
集电极连续电流：0.1 A
封装形式：SOT-563-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：120 at 2 mA at 6 V
增益带宽产品fT：180 MHz
最大直流电集电极电流：0.1 A
集电极—射极饱和电压：60 V
发射极 - 基极电压 VEBO：7 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：50 V
集电极—基极电压 VCBO：60 V
晶体管极性：NPN
配置：Dual
RoHS：否
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：ON Semiconductor

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