EMT1DXV6T1G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: SOT-563-6
数量：: 16388
说明：: 两极晶体管 - BJT 100mA 60V Dual PNP

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EMT1DXV6T1G PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：4000
包装形式：Reel
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：357 mW
集电极连续电流：- 0.1 A
封装形式：SOT-563-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：120 at 1 mA at 6 V
增益带宽产品fT：140 MHz
最大直流电集电极电流：0.1 A
集电极—射极饱和电压：- 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO：6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：- 60 V
集电极—基极电压 VCBO：- 50 V
晶体管极性：PNP
配置：Dual
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：ON Semiconductor

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