EMF20T2R

厂家：: ROHM Semiconductor
封装：: EMT6
数量：: 6624
说明：: 两极晶体管 - BJT DUAL NPN/DTR

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EMF20T2R PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：8000
包装形式：Reel
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：150 mW
直流电流增益 hFE 最大值：390
封装形式：EMT-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：20, 180
增益带宽产品fT：180 MHz
集电极—射极饱和电压：0.4 V
发射极 - 基极电压 VEBO：7 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：50 V
集电极—基极电压 VCBO：60 V
晶体管极性：NPN
配置：Dual
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：ROHM Semiconductor

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