点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
输出设备:NPN Phototransistor
每芯片的通道数量:1 Channel
最大上升时间:18 us
最大下降时间:18 us
正向电流:20 mA
包装形式:Tube
封装形式:SSOP-4
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 110 C
最大功率耗散:200 mW
最大集电极电流:50 mA
电流传递比:80 % to 160 %
绝缘电压:3750 Vrms
最大集电极/发射极饱和电压:0.1 V
最大集电极/发射极电压:80 V
RoHS:是
产品种类:晶体管输出光电耦合器
制造商:Everlight
以上是EL3H7(A)-G的详细信息,包括EL3H7(A)-G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!