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中文参数如下:
波长:860 nm
类型:Phototransistor
工厂包装数量:500
上升时间:15 us
产品:Phototransistors
包装形式:Bulk
最小工作温度:- 25 C
最大工作温度:+ 85 C
下降时间:15 us
集电极—射极饱和电压:0.4 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V
封装形式:Side Looker
最大功率耗散:75 mW
RoHS:是
产品种类:光电晶体管
制造商:Everlight
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